1.氣體預(yù)熱——增加前端氣體預(yù)熱區(qū)，沉積速度更快，成膜效果更好；

2.AIO控制系統(tǒng)——加熱控制、等離子射頻控制、氣體流量控制、真空系統(tǒng)控制集中于一個(gè)7英寸觸摸屏進(jìn)行統(tǒng)一集中調(diào)節(jié)和操控，協(xié)調(diào)控制——科探AIO控制系統(tǒng)；

3.管內(nèi)壓力自動(dòng)平衡——管內(nèi)壓力實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，自動(dòng)平衡管內(nèi)壓力。

4.智能氣路通斷——每路氣體均可定時(shí)通斷，省時(shí)省力；

5.射頻功率和開關(guān)定時(shí)控制——預(yù)先設(shè)定好功率的大小和打開與關(guān)閉的時(shí)間，自動(dòng)運(yùn)行；

6.爐膛移動(dòng)速度可調(diào)——根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求，用戶可設(shè)定爐膛左右移動(dòng)的速度可距離；

7.整機(jī)結(jié)構(gòu)融為一體——移動(dòng)方便，避免分散組裝的困擾。

 

PECVD管式爐的使用注意事項(xiàng)：

爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa。

由于氣瓶?jī)?nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí)，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議選購減壓閥，使用時(shí)會(huì)更加安全。

當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí)，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)。

進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對(duì)加熱石英管的沖擊。

石英管的長(zhǎng)時(shí)間使用溫度＜1100℃。

對(duì)于樣品加熱的實(shí)驗(yàn)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對(duì)樣品加熱，則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生。